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        LED效能突破!“零缺陷”新半导体材料出世

        日期:2016年3月19日 10:06

        日前由前台大校长李嗣涔、曾任台大电子所教授何志浩组成的跨国研究团队,成功研发出号称“零缺陷”的新半导体材料,可望大幅提升LED发光效率。

          这个团队的组成是美国加州大学柏克莱分校教授AliJavey、阿卜杜拉国王科技大学(KAUST)教授何志浩、、前台大校长李嗣涔等人组成,已经发表了论文,论文共同第一作者连德轩是台大电机系博士,2015年才刚刚完成了博士口试,还拿到国际电子半导体学会IEEE颁发的奖学金,会在这个学习毕业。

          台大跨国研究团队指出,过去的半导体材料如果越薄,其本身的物理缺陷就会对於电子、光电元件的可用效能,产生负面的影响。而目前该研究团队找到了修复缺陷的简单方法,建构出优质的单层二维半导体材料MoS2,没有过去二维材料的缺陷密度过高问题,期望未来可以提升LED发光的效率,更之後则有机会成为超微小半导体元件中的重要材料选择之一。

          根据研究团队的说法,这种材料可以发展出透明,同时具备挠性的高性能LED显示器,以及超高效率的太阳能发电元件,以及高敏感度的光侦测元件,还有更低功耗的奈米级半导体电晶体元件。

          LEDinside检视他们论文和发表的内容,研究团队是把二硫化钼(MoS2)材料浸润在亚胺(bistriflimide)的有机超强酸里面,这样一来可大幅提高二维材料的量子效率,提昇的极限,从原本提昇不到1%的效果,增加到接近100%,换言之就是将近倍增的效果,因此有些媒体报导说LED发光效率可以提昇100倍,这是错误的描述,并不是真的。

          这个材料要商业化,预期还有一段时间,世人可以拭目以待,期望有更好的光电与半导体材料造福人群与产业。

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